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LED芯片常遇到的6大问题

时间:2022-09-01 00:49 点击次数:
  本文摘要:相反电压减少、暗光(1)一种是电极与闪烁材料为欧姆认识,但认识电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极病变所致。(2)一种是电极与材料为非欧姆认识,主要再次发生在芯片电极制取过程中冷却第一层电极时的断裂印或垫印,产于方位。另外PCB过程中也有可能导致相反力减少,主要原因有银胶烧结不充份,支架或芯片电极沾污等导致认识电阻大或认识电阻不平稳。 相反力减少的芯片在相同电压测试时,通过芯片的电流小,从而展现出暗点,还有一种暗光现象是芯片本身闪烁效率较低,相反压降长时间。

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相反电压减少、暗光(1)一种是电极与闪烁材料为欧姆认识,但认识电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极病变所致。(2)一种是电极与材料为非欧姆认识,主要再次发生在芯片电极制取过程中冷却第一层电极时的断裂印或垫印,产于方位。另外PCB过程中也有可能导致相反力减少,主要原因有银胶烧结不充份,支架或芯片电极沾污等导致认识电阻大或认识电阻不平稳。

相反力减少的芯片在相同电压测试时,通过芯片的电流小,从而展现出暗点,还有一种暗光现象是芯片本身闪烁效率较低,相反压降长时间。无以压焊(1)打不硬:主要因为电极表面水解或有胶(2)有与闪烁材料认识不哀和加厚焊线层不牢,其中以加厚层开裂居多。(3)打穿电极:一般来说与芯片材料有关,材料质地且强度不高的材料不易打穿着电极,一般GAALAS材料(如低白,红外芯片)较GAP材料不易打穿着电极。(4)压焊调试应向焊温度,超声波功率,成像时间,压力,金球大小,支架定位等展开调整。

闪烁颜色差异(1)同一张芯片闪烁颜色有显著差异主要是因为外延片材料问题,ALGAINP四元素材料使用量子结构外壳,生长是很难确保各区域组分完全一致。(组分要求禁带宽度,禁带宽度要求波长)。

(2)GAP黄绿芯片,闪烁波长会有相当大偏差,但是由于人眼对这个波段颜色脆弱,很更容易追查偏黄,稍蓝。由于波长是外延片材料要求的,区域就越小,经常出现颜色偏差概念就越小,故在M/T作业中有附近挑选法。

(3)GAP红色芯片有的闪烁颜色是稍橙黄色,这是由于其闪烁机理为间接迈进。不受杂质浓度影响,电流密度增大时,不易产生杂质能级位移和闪烁饱和状态,闪烁是开始变成橙黄色。闸流体效应(1)是发光二极管在长时间电压下无法导通,当电压加宽到一定程度,电流产生变异。

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(2)产生闸流体现象原因是闪烁材料外延片生长时经常出现了偏移夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测试的相反压降有隐蔽性,在用于过程是出于两极电压过于大,展现出为不亮,能用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也可以通过小电流IF=10UA下的相反压降来找到,小电流下的相反压降显著稍大,则有可能是该问题所致。偏移溢电流IR在限定版条件下偏移溢电流为二极管的基本特性,按LED以前的常规规定,指偏移电压在5V时的偏移溢电流。随着发光二极管性能的提升,偏移溢电流不会更加小。

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IR越小越好,产生原因为电子的点状移动。(1)芯片本身品质问题原因,有可能晶片本身切割成出现异常所造成。(2)银胶点的过于多,相当严重时会造成短路。

外延导致的偏移漏电主要由PN结内部结构缺失所致,芯片制作过程中侧面生锈过于或有银胶丝沾附在测面,不准用有机溶液调配银胶。以避免银胶通过毛细现象爬上结区。(3)静电击中。外延材料,芯片制作,器件PCB,测试一般5V下偏移溢电流为10UA,也可以相同偏移电流下测试偏移电压。

有所不同类型的LED偏移特性差距大:普绿,普黄芯片偏移穿透可超过一百多叱,而普红芯片则在十几二十叱之间。(4)焊线压力掌控失当,导致晶片内崩造成IR增高。解决方案:(1)银胶胶量须要掌控在晶片高度的1/3~1/2;(2)人体及机台静电量须要掌控在50V以下;(3)焊线第一点的压力不应掌控在30~45g之间为欠佳。

死灯现象(1)LED的漏电流到大导致PN结过热,使LED灯点不亮,这种情况一般会影响其他的LED灯的工作。(2)LED灯的内部相连引线插入,导致LED无电流通过而产生死灯,这种情况不会影响其他的LED灯的长时间工作,原因是由于LED灯工作电压较低(红黄橙LED工作电压1.8v-2.2v,蓝绿白LED工作电压2.8-3.2v),一般都能用串、并联来连接起来,来适应环境有所不同的工作电压,串联的LED灯越少影响越大,只要其中有一个LED灯内部连线开路,将导致该串联电路的整串LED灯不亮,可见这种情况比第一种情况要相当严重的多。


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